AMB-Bonded Si₃N₄–Cu dengan Kekuatan 25 MPa Membuka Era Baru untuk Pengemasan IGBT Otomotif
2025-01-14
Active Metal Brazing (AMB) adalah teknologi kunci untuk pelapisan Cu pada substrat keramik dalam modul berdaya tinggi, dan kekuatan ikatan secara langsung memengaruhi keandalan modul IGBT/SiC di bawah siklus termal dan guncangan mekanis.
Dengan mengoptimalkan sistem metalisasi dan pengisi, kekuatan ikatan Si₃N₄–Cu telah ditingkatkan menjadi 25 MPa—sekitar 1,5 kali lipat dari tumpukan AlN–Cu konvensional. Hal ini memungkinkan modul dengan ketebalan dan tata letak tembaga yang sama untuk menahan beban termal dan mekanis yang lebih tinggi.
Untuk inverter kelas otomotif, OBC dan konverter DC/DC, kekuatan ikatan yang lebih tinggi tidak hanya mengurangi risiko delaminasi bantalan tetapi juga memungkinkan “tembaga yang lebih tipis, paket yang lebih kecil,” memfasilitasi kepadatan daya yang lebih tinggi dan tata letak di bawah kap yang lebih ringkas.
Selama fase peningkatan modul, solusi AMB Si₃N₄ harus diuji coba lebih awal, dengan perbandingan A/B siklus daya dan umur kejut termal di bawah tata letak yang identik untuk mengukur peningkatan keandalan.